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为什么DDR2比DDR1更容易通过测试

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发表于 2009-6-18 18:29:22 | 显示全部楼层 |阅读模式

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  原来的产品一直采用DDR1,双面板200M不加屏蔽罩很难通过,就是通过也没有足够的余量。
后面新的产品采用DDR2跑400M易通过,除了200M和400M限值不同外,还有什么差异?
谢谢!
发表于 2009-6-21 11:25:03 | 显示全部楼层
在同等核心频率下,DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说,虽然DDR2和DDR一样,都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说,在同样100MHz的工作频率下,DDR的实际频率为200MHz,而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题:在同等工作频率的DDR和DDR2内存中,后者的内存延时要慢于前者。举例来说,DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟,而后者具有高一倍的带宽。实际上,DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽,它们都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,而DDR2-400的核心工作频率是100MHz,也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
网上的消息,不知道是否跟这个有关系!
发表于 2009-6-22 15:29:37 | 显示全部楼层
呵呵。

对EMC来讲,有一个最大的不同  就是DDR 是单根DQS

而DDR  II 是差分DQS。

如果你们仔细研究过DDR 在RE里面的表现,或者曾看过我写的DDR的参考建议。

那么你就明白DQS 在DDR中的重要作用。

DDR II的 差分DQS  对我们来讲,SI 会好很多。

请仔细看一下
发表于 2009-6-22 19:39:36 | 显示全部楼层
差分信号用贴片共模电感可以有一定的抑制作用。不知有人用过吗?
发表于 2009-6-25 11:21:15 | 显示全部楼层
AMO能否提供DQS介绍的链接?
发表于 2009-6-25 14:58:24 | 显示全部楼层
3 楼。

是DDR时钟 333M ,共模电感 不适用,

4楼,你在网上搜一下DDR  II 这个资料还是很多的,也可以直接找datasheet.

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