设计技术

彭海军

  BYPASSING ANG DECOUPLING 旁路及去耦合.
1、依使用场所选择电容: 去耦合、旁路、大型(bulk).
2、Bypassing及decoupling会影响电路谐振之特性, 确定电路是否为串联、并联、或并联C串联RL、之纲路。以计算其谐振频率。
3、当选择去耦合电容时, 先以功能上之需要考虑逻辑组件之充电来源。同时要考虑把高频RF电流移除之所需之谐振频率之要求, 此高频RF电流来自于在最大电容负载下组件之所有脚同时切换。
4、当为某一特别共振范围选择电容时, 要算入幅射轴向电容器之脚长度。
5、电容器可decoupling高频电流至其共振频率处。 (回了共振频率无效果)。在共振频率之上，电容器变成电感性因而无法去除来自组件之RF电流。有些逻辑族具有比一般常用之去耦合电容之共振频率更高之频谱能量。
6、在电路富含RF能量及rise time快于3ns之电路上须使用去耦合电容。根据最好之效果及所在意之频率范围计算所须之电容值, 不要用猜测或是根据以前之习惯用法使用。
7、量测或是计算电板之power及ground平面之共振频率。此二平面就是-----去耦合电容。以此二平面构筑去耦合电容获最大效益。
8、对高速组件及蕴含高RF带宽能量之区域, 使用多种电容并联以去除大频宽之RF能量。
9、当选择并联电容时, 记住当大容值之电容变得电感性时, 小容值之电容仍保持电容性。在某一特殊频率, 构成---LC电路。造成无限大阻抗因而完全无decoupling作用。若此状况发生, 使用单一电容较有效。
10、少数之decoupling电容可能会优于许多之decoupling电容。
11、对标准TTL组件而言, 电源平面一般会提供一低共振频率之去耦合。
12、使电容器之接脚越短越好以减低其接脚长度之电感量。
13、在电路板之所有电源输入连接器边, 及在rise time快于3ns之组件边装置并联之电容。
14、选择power及ground脚位于中央之组件。
15、使用足够数量之大型电容器以提供本地化之充电电源以提供电压及电流。当组件在最大电容负载状况下所有pin同时切换时造成之大量电流需求时是必要的。一般说来，去耦合电容要同时担负大型(bulk)及RF电流压制之角色。
16、在power输入端及板子的封角方向加上大型(bulk)电容。同时，在离power输入连接器最远之处加bulk电容。在有大的直流电压及电流需求之组件边皆加上bulk电容。Bulk电容会减少电压及电流之波动，提高系统之稳定度。
17、对所有电容要考虑、计算其适当之电压额定值。
18、如果用了太多的decoupling电容，会由电源供应器吸引巨大之电流，因此应在power supply放一群bulk电容以提供其电量。

orlandohao3

彭海军？是以前方向的吗？我是hao xiaowei，还记得吗？我的邮件hao.xiaowei@pixela-china.com, MSN: francishao3@hotmail.com