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转移阻抗用来表述屏蔽效果
定义是
Zt = ( 1 / Io ) x ( dV / dx )
where Io is a longitudinal disturbing current generated on one surface (either the inner or the outer surface) of the shield and dV/dx is the longitudinal voltage per unit length, generated by Io, appearing on the opposite surface of the shield.
xiaoqiaos提到了阻抗漏斗效应,我的理解是这样的,不知对否
指转移阻抗存在屏蔽层时,就像一堵墙,两边存在两种电磁环境,然后内外存在相互干扰,这种干扰的
程度可以用转移阻抗来描述,转移阻抗越大,干扰程度越大,反之转移阻抗越小,干扰程度越小,那么
屏蔽效果就越好,就像漏斗一样,口子越小能通过的水流越小。这么说自我感觉似乎比较合理了,但是现在还想不清的就是这个过程的机理是什么样的,还请各位指点 |
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