1级（  1999V）ESDS元器件

dgwang1

  a) 微波器件（肖特基二极管，点接触二极管和f  1Ghz的检波二极管）；
   b) MOS场效应晶体管（MOSFET）；
   c) 结型场效应晶体管（JFET）；
   d) 声表面波器件（SAW）；
   e) 电荷耦合器件（CCD）；
   f) 精密稳压二极管（线性或负载电压调整率小于0.5）；
   g) 运算放大器（OP  AMP）；
   h) 集成电路（IC）；
   i) 混合电路（1级ESDS元件组成）；
   j) 特高速集成电路（VHSIC）；
   k) 薄膜电阻器；
   l）可控硅整流器（SCR）（环境温度100℃ 时，I0  0.175A）。