2级（2000V～3999V）ESDS元器件

dgwang1

  a) MOS场效应晶体管；
   b) 结型场效应晶体管；
   c) 运算放大器；
   d) 集成电路；
   e) 特高速集成电路；
   f) 精密电阻网络（RZ型）；
   g) 混合电路（2级ESDS元件组成）；
   h) 低功率双极型晶体管（Pt  100mV，Ic  100mA）。