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更换nand flash后辐射超标

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发表于 2008-8-7 10:08:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

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  为客户设计的几个型号的MP3产品,用70nm的toshiba nand flash已经通过FCC,CE认证。但是客户要换用toshiba 56nm制程的nand flash(TC58NVG3D1DT00等),更换后发现USB联机模式下辐射超标了,主要集中在180Mhz到440Mhz这一段上。因为是所有机型都出现这个问题,而且客户那边说他们用其他的方案的项目也碰到了这样的问题,客户希望用软件方式整改,不知道有没有人有最近也有碰到同样的问题的?能不能一起讨论一下。
发表于 2008-8-7 12:58:13 | 显示全部楼层
flash  很少出现问题的,他的信号不是常读的。所以 出问题的可能性很小呀。

建议你好好分析一下,同一块板子 换回原来的FLSASH是不是就好了。
发表于 2008-8-7 15:34:25 | 显示全部楼层
这个是对比测试哈,我也经常干这事。
所有机器都有,那肯定是芯片的问题了。
 楼主| 发表于 2008-8-7 16:01:52 | 显示全部楼层
引用第1楼jiangweiamo2008-08-07 12:58发表的“”:
flash  很少出现问题的,他的信号不是常读的。所以 出问题的可能性很小呀。

建议你好好分析一下,同一块板子 换回原来的FLSASH是不是就好了。


这个是确定过的,同样的机器把flash换回去少了十几个dB。用近场探头探辐射都在flash上方,而且这个制程的flash写速度高了很多,现在正在这个方向上做实验。
发表于 2008-8-23 22:51:05 | 显示全部楼层
楼上好资料  但是 FLASH 的 读写 只是 开始的时候,怎么 会一直存在超标 呢 》?

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