②工作原理
GTEM小室中的电场强度与从N型接头输入信号电压V成一正比,与芯板距底板垂直距离h成反比:
E = V/h
在50Ω匹配的系统里,芯板对底板的电压与N型接头的信号输入功率之间的关系满足
V =(RP)1/2 =(50P)1/2
故场强
E =(50P)1/2 / h
如考虑实测值与理论值之间的差异,上式还应乘一个系数k,因此实际的电场强度是
E = k(50P)1/2/ h
从上式可见,若在GTEM小室注入同样的功率,芯板的位置距底板的距离越近(h值越小),则可获得较大的场强;若产生同相的场强,较大空间处(h值越大)需要的输入功率亦较大。
上述结论表明,对于较小的试品,我们可以把试品放在GTEM小室中比较靠前的位置,这样用比较小的信号输入功率,就可以得到足够高的电场强度。注意,试品的高度不能超过选定位置芯板与底板间距的1/3。
操作方法:
a.一将试品及场探头置于GTEM小室内;
b. 外接信号源,通过功率放大器,在GTEM小室内建立均匀电场;
c.确定测试频率范围及调制方法和调制深度;
d. 调整信号源输出电平(注意,切勿超过功率放大器允许的最大输入电平);
e. 通过场强监视计监测GTEM小室的场强,使之达到所需的强度;
f. 重复c~e步骤,观测确定被试品的电磁辐射敏感度。
在GTEM小室内做试品电磁骚扰辐射发射试验的操作方法如下:
a. 将被试设备置于GTEM小室内;
b. 外接干扰接收机,接收被试设备的辐射骚扰电平输出;
c. 根据测试标准要求设置扫描频率的范围和检波方式及分辨率带宽;
d. 干扰接收机测试被试设备的辐射骚扰电平值;
e. 通过计算机及软件进行数据处理,得到最终测试结果。