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射频电磁场能量进入设备有两个途径

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发表于 2008-1-4 14:34:38 | 显示全部楼层 |阅读模式

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  射频电磁场能量进入设备有两个途径:一是通过空间直接耦合到PCB板上,从而影响设备的正常工作;一是耦合到设备的输入输出线,感应出射频电流,通过I/O线传导到设备内部。
屏蔽是提高设备辐射抗扰性能力行之有效的方法之一,良好接地的完整屏蔽体有相当好的屏蔽效果。然而,由于各种需要,不可避免地要在屏蔽体上形成一些缝隙和开孔,这些缝隙和开孔将大大减弱屏蔽体对射频能量的屏蔽性能。因此,处理好这些缝隙和开孔是取得良好屏蔽性能的关键。
对于通过连接线进入到设备内部的射频能量,我们可以采用针对线的屏蔽和滤波来加以抑制。采用屏蔽线可以大大减低射频电磁场在线上的感应电流,滤波则可以有效地滤除线上的射频能量。在使用滤波元件时要特别注意其阻抗频率特性,不要对所传输的信号形成衰减。
当然,对PCB进行良好的电磁兼容设计是改善设备辐射抗扰性能力最有效也是最经济的方法,当屏蔽和滤波都无法达到目的时,有必要重新对PCB进行布版。


实例一(改善屏蔽典型):
无线接入某射频模块无法通过10V/m的辐射抗扰性试验,此射频模块为完全金属封装,并有一些信号线、电源线与其它设备相连。通过分析,发现此模块的外壳由几块金属通过螺钉连接,螺钉之间间距较大,搭接处有较大的缝隙;连接线有一些不是屏蔽线。首先改善搭接,在外壳缝隙处填充导电衬垫,效果比较明显,未通过频段大大减少;然后将大部分的信号线换成屏蔽线,仅有少数频点无法通过。经仔细检查,发现外壳的许多腔体与PCB没有良好接触,造成PCB不能多点与外壳接地,使用导电衬垫让PCB与外壳充分相接触,经改善后可通过10V/m辐射抗扰性试验。

实例二(采用信号滤波典型):
监控某电源监控终端进行10V/m辐射抗扰性测试时,遥控、遥信均可通过,遥测无法通过,在80MHz、220MHz左右所测电压变动比较大。此电源监控终端有完整的金属外壳,还有许多信号线和控制线。由于设备已有较好的屏蔽,故怀疑射频干扰是通过I/O线进入设备。用示波器探测PCB的一些主要信号通道,发现传感器后的波形正常,而在运放后波形在不正常,故可确认运放受到干扰。在运放输入端并30pF到地,可以通过测试。

实例三(信号线的屏蔽、滤波):
某组合电源由于在某开局现场经常出现温度采集信号异常变动,此开局现场附近有寻呼台基站,只要基站一工作就会出现此现象,怀疑是辐射干扰引起的。将温度传感器及一段信号线放入电波小室内进行辐射抗扰性试验,发现在80MHz~200MHz间显示温度变化较大,最低显示甚至到-90℃。将信号线远端屏蔽层接地后,大有改善,最低仅到-8℃,(注:近端接地效果不大),但是将信号线放入电波小室内较多时,仅在112MHz频点会出现-80℃的显示。在两条信号线靠近设备端各串一磁珠BGH3216B152LB(南虹电子),无论电波小室内的信号线长度怎么变化,显示变化极小,不超过5℃;但是将远端不接地后,显示变化较大,最低到-30℃左右,说明屏蔽接地与磁珠滤波均需要。
发表于 2008-1-4 14:37:45 | 显示全部楼层
LZ把图也贴上来
发表于 2008-5-28 23:33:49 | 显示全部楼层
示波器探测不会引入另外的干扰么,我们的产品在做100v/m 10M-1000M hz 测试时候,加入示波器prob就会引入的另外的干扰,很头疼

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