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求助:屏蔽层和电源的0V间的处理遇到不相容的问题

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发表于 2008-1-4 16:20:15 | 显示全部楼层 |阅读模式

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  屏蔽通讯线电路设计时,屏蔽层和电源的0V间会并联一个耐高压的小电容和一个1M的电阻,这样的处理对于0V上高频噪音和累积电荷提供一个通道.
但是要是屏蔽层上有高频噪音的时候同样会串入到系统的0V,系统会工作不正常.
比如: 这样的连接对静电测试是好的,但是要是对通讯线进行EFT(clamp)测试的时候,系统就不能正常工作了,请高人指点一下,这个连接是什么理论依据,一般应该怎么处理?
发表于 2008-1-9 11:24:40 | 显示全部楼层
这样的连接对EFT和ESD都是好的, 你的产品EFT出现问题,可能系统的接地位置选得不对,或者产品得接地点不是在那根屏蔽电缆附近或其它地方还有额外得接地点.

屏蔽电缆有个转移阻抗得概念, 转移阻抗能表达屏蔽电缆屏蔽效能, 0V与屏蔽层不接, 会影响你电缆得屏蔽效能. 这是有理论依据得,而且有大量得实践证明

除非你是金属外壳得设备, 但是一般得做法也是屏蔽电缆360与金属外壳搭接, I/O口得0V与金属外壳通过电容或直接搭接. 这也相当于 0V与屏蔽电缆 连接

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