开关电源电磁干扰(EMI)整改频段干扰原因及抑制办法总结

pwm · 发表于 2012-10-30 13:24:06

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开关电源EMI整改中，关于不同频段干扰原因及抑制办法：1MHz以内----以差模干扰为主    1.增大X电容量；    2.添加差模电感；    3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。1MHz~5MHz---差模共模混合     采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，     1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器，调差模电感量;     2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制；     3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。5MHz以上---以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。     对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环.    处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。对于20--30MHZ，    1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；    2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；    3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。    4.改变PCB LAYOUT；    5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；    6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；    7.在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；    8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。    9. 可以用增大MOS驱动电阻.30---50MHZ 普遍是MOS管高速开通关断引起   1.可以用增大MOS驱动电阻；   2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管；   3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决；   4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；    5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；    6.在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；   7.在变压器的输入电压脚加一个小电容；   8&#46

CB LAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；   9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。50---100MHz 普遍是输出整流管反向恢复电流引起   1.可以在整流管上串磁珠；   2.调整输出整流管的吸收电路参数；   3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻；    4.也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET; 铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）。    5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI标准补充说明:   开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.   开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.   开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意此点.   主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC有一定的影响.

zhenyuanwu · 发表于 2012-11-10 19:23:25

不错!

qiupczj · 发表于 2013-1-30 11:23:30

感谢分享，很不错

mic29 · 发表于 2013-3-18 17:49:45

1. 1MHz以内----小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
這是指初次還是二次側電解電容？兩邊都離變壓器不遠

2. 1MHz~5MHz---可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。
這句話是什麼意思？

3. 5MHz以上---可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环.
銅箔應是為了防止漏磁外洩，但緊貼鐵芯是防不了漏磁的，應該反而會更嚴重，因為漏磁被銅箔擋住進不了鐵芯了

4. 5MHz以上---处理初级大电路并联电容的大小。
請問何謂初级大电路并联电容？

5. 20--30MHZ---在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层
請問銅箔與屏蔽層有什麼不同嗎？

shafers · 发表于 2013-3-19 10:25:23

谢谢

nordwest · 发表于 2014-10-30 21:33:55

ding ding , zhang zhi shi le

lvfei1987 · 发表于 2014-12-9 21:26:29

现在是新人，看到有好咚咚咚还是回帖来下载吧

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